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一种制备高导电性聚吡咯材料的方法
研究领域:
其他
公开日:
2005-03-23

申请号:
CN200410028164.1
公开(公告)号:
CN1597733A
专利分类号:
C08G73/06 | C25B3/00
所属专家:
东莞理工学院教师
所在院校:
东莞理工学院
申请(专利权)人:
东莞理工学院
申请日:
2004-07-21
专利简介:

所属专家:程发良 本发明公开了一种利用电化学聚合方法,制备出具有高度有序的纳米阵列的高导电性聚吡咯材料的方法。本发明制备方法简单,工艺简化,整个流程时间短,合成条件在常态下就可以进行,因此成本低廉;还由于采用二次氧化法制备纳米氧化铝材料,生成的聚吡咯直径统一,排列有序,用循环伏安法合成的聚吡咯材料导电性能优秀,并且长度可由循环周次可控,很容易达到生产需要。

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