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同轴波导二维电磁带隙结构
研究领域:
其他
公开日:
2017-01-25

申请号:
CN201620578901.3
公开(公告)号:
CN205911398U
专利分类号:
H01P3/06 | H01P1/20
所属专家:
东莞理工学院教师
所在院校:
东莞理工学院
申请(专利权)人:
东莞理工学院
申请日:
2016-06-15
专利简介:

所属专家:赖颖昕 本实用新型公开了一种同轴波导二维电磁带隙结构,包括内导体、填充物、外导体和设置于内导体与外导体之间、具有角向和轴向的二维周期性的第一及第二不均匀结构。与现有技术相比,本实用新型的电磁带隙结构采用同轴波导,具有功率容量大、损耗小、散热能力强及易与微波技术领域常用的信号传输系统集成的优势,同时为获得带隙特性而引入的不均匀结构,其实现方式更有利于高频应用时的加工制作。此外,其带隙特性可通过转动的方式改变第一及第二不均匀结构相对的角向位置加以调节,从而使带隙具有可控性。本实用新型可以作为微波通信、卫星通信、遥感遥测、雷达、导航、电子对抗等高功率微波应用领域中抑制干扰或噪声的谐波抑制器或可调Q值的带阻滤波器。

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