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一种夹层结构透明导电薄膜及其制备方法
研究领域:
其他
公开日:
2017-07-25

申请号:
CN201610036475.5
公开(公告)号:
CN105489270B
专利分类号:
C23C14/08 | C23C14/18 | B32B15/20 | B32B15/04 | H01B5/14 | C23C14/35
所属专家:
东莞理工学院教师
所在院校:
东莞理工学院
申请(专利权)人:
东莞理工学院
申请日:
2016-01-20
专利简介:

所属专家:吴木营 本发明涉及功能薄膜材料的技术领域,特别是涉及一种夹层结构透明导电薄膜及其制备方法,该透明导电薄膜为BaSnO3/Cu/BaSnO-3的夹层结构,即包括依次层叠的BaSnO3薄膜层、Cu薄膜层和BaSnO3薄膜层。该夹层结构透明导电薄膜的制备方法包括:步骤一,将BaSnO3靶材和Cu靶材装入磁控溅射系统的腔体内;步骤二,在衬底上进行沉积得到BaSnO3薄膜层;步骤三,在BaSnO3薄膜层上溅射Cu薄膜层;步骤四,在Cu薄膜层上溅射BaSnO3薄膜层,制得夹层结构透明导电薄膜。该夹层结构透明导电薄膜具有成本低、电阻率低、导电性能好、厚度薄、化学稳定性好、且与衬底之间的吸附性强的优点。

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